دانلود مقاله ترجمه شده طراحی جدید فول ادر مبنای سه با استفاده از CNTFETها


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2001265 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید

قیمت :
815,000 ریال
شناسه محصول :
2001265
سال انتشار:
2014
حجم فایل انگلیسی :
1 Mb
حجم فایل فارسی :
809 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

طراحی جدید فول ادر مبنای سه با استفاده از CNTFETها

عنوان انگليسي

A Novel Design of Ternary Full Adder Using CNTFETs

نویسنده/ناشر/نام مجله

Computer Engineering and Computer Science

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 8 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 17 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی


چکیده

این مقاله طرحی جدید از فول ادر مبنای سه مبتنی بر ترانزیستور (TFA) را با استفاده از ماهیت ذاتی باینری (1و0) کری ورودی در تکنولوژی اثر میدان نانولوله ی کربنی (CNTFET) پیشنهاد می دهد. یک مدار بافر برای رسیدن به عملکرد بالا بدون از دست دادن باده انرژی کلی طرح اضافه می شود. استفاده از ترانزیستور عبور منطقی منجر به مصرف کم توان می شود. TFAی پیشنهادی با استفاده از شبیه ساز Synopsis HSPICE با مدل Stanford CNTFET 32 nm، در شرایط تست مختلف و ولتاژهای منبع مختلف بطور جامع بررسی می شود. طرح پیشنهادی قابلیت کنترل زیادی دارد و مقاوم است. در منبع تغذیه ی 0.9 V، طرح پیشنهادی 69 درصد کاهش در ضرب تاخیر در توان، در مقایسه با همتای خود که اخیرا در متون علمی منتشر شده را نشان می دهد.

1-مقدمه

مقیاس بندی فناوری CMOS فعلی به محدوده ی نانو چالش های بحرانی مختلفی ایجاد کرده و مسائلی در خصوص اطمینان پذیری مثل تونل زنی الکترون مستقیم از طریق کانال های کوتاه و فیلم های عایق کننده ی نازک، تغییر در ساختار افزاره و دوپینگ، تغییرات بزرگتر در فرایند، کاهش کنترل گیت و وجریان نشتی زیاد ایجاد کرده است. برای حل این مسائل، دانشمندان و محققان به دنبال گزینه های جایگزین جدید برای CMOS  سنتی هستند. ترانزیستور اثر میدان نانولوله ی کربن (CNTFET) به دلیل شباهتش با MOSFET ازلحاظ خصوصیات ذاتی و هم چنین ویژگی های عالی مختلفش از جمله ساختار باند 1-D ی منحصر به فرد، عملکرد انتقال بالستیکی و جریان Off-current  کم میتواند یک جایگزین خوب باشد...

ترانزیستور اثر میدان نانو لوله ی کربن (CVTFET) فول ادر مبنای سه (TFA) :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی

Abstract

This paper proposes a novel design of pass transistor-based ternary full adder (TFA) cell using inherent binary nature (0, 1) of input carry in carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) technology. A buffer circuit is added to get high performance without sacrificing the overall energy efficiency of the design. The use of pass transistor logic style leads to low power consumption. The proposed TFA is examined exhaustively, using Synopsys HSPICE simulator with 32 nm Stanford CNTFET model in various test conditions and at different supply voltages. The proposed design has high driving capability and is robust. At 0.9 V power supply, the proposed design shows 69 % reduction in power–delay product in comparison with its counterpart, recently published in the literature

Keywords: Ternary logic Carbon nanotube (CNT) field effect transistor (CNTFET) Ternary full adder
این برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]
 مقاله مهندسی برق با ترجمه
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید