دانلود مقاله ترجمه شده تکنولوژی 100mV 44-uW 2.4-GHz LNA در FinFET 16 نانومتری

چکیده

برای دستیابی به ولتاژ بسیار پایین (ULV) و توان بسیار پایین (ULP)، ما طراحی زیرآستانه روی گیت و طراحی نزدیک سه قطبی روی پایانه های درین را تطبیق دادیم. تقویت کننده کم نویز پیشنهادی (LNA) به بهره توان 6.9 dB و معیار نویز (NF) 3.0 dB در 2.4GHz دست یافت. PDC در 100mv=V_dd برابر 44µW است. تطابق ورودی و خروجی به ترتیب -10.4dB و -5.7dB می باشد. LNA در تکنولوژی TSMC FinFET Plus CMOS ساخته شده است.

1-مقدمه

مدارهای مجتمع فرکانس رادیویی توان بسیار پایین (ULP) عنصر کلیدی برای طول عمر باتری شبکه های حسگر بی سیم برای اینترنت اشیا هستند. باتری هایی که جایگزینی سختی دارند، تکنولوژی برداشت انرژی را فراخوانی می کنند. عملکرد ولتاژ بسیار پایین (ULV) از آنجا که برداشت کنندگان گرمایی و خورشیدی تنها می توانند به ترتیب  25 تا 150 و 50 تا 225 میلی ولت برای انتقال بهینه فراهم آورند، امری ضروری شده است. تغذیه مستقیم برق از منبع انرژی ترجیح داده می شود زیرا مبدل DC-DC اضافی توان DC بیشتری مصرف می کند...