چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟
فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2003788 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
حجم فایل انگلیسی :
663 Kb
حجم فایل فارسی :
2 مگا بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com
عنوان فارسي
برآورد عملکردِ ترانزیستور های اثر میدانی نانونوار گرافنی بالستیک
عنوان انگليسي
Performance Projections for Ballistic Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors
این مقاله چند صفحه است؟
این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 6 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 18 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است
چکیده
امکان عملکرد حد بالای MOSFET های نانونوار کربنی بالستیک (MOSFET های CNR) مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار باندی نانونوارها را با استفاده از روش تنگابست تک اوربیتال-pz محاسبه کرده و مشخصات جریان-ولتاژMOSFET نانونوار را با استفاده از مدل بالستیک نیمه کلاسیک ارزیابی می کنیم. در می یابیم که نوارهای نیمه رسانا با پهنای چند نانومتری، رفتار الکترونیکی به شیوه ای مشابه نانولوله های کربنی از خود نشان می دهند و به عملکرد جریان-روشن مشابهی دست می یابند. محاسبات ما نشان می دهد که ترانزیستورهای CNR نیمه رسانا می توانند گزینۀ مناسبی برای سوئیچ های دیجیتال با موبیلیتۀ بالا بوده و عملکرد بهتری از MOSFET سیلیکونی داشته باشند. اگر چه نوارهای پهن دارای باندگپ های کوچکی هستند که به دلیل تونلینگ باند به باند سبب افزایش نشت زیرآستانه ای می شوند، اما قابلیت های جریان-روشن آنها هنوز هم می تواند مورد توجه کاربردهای خاصی قرار بگیرد.
1- مقدمه
اخیرا نانولوله های کربنی (CNT ها) به دلیل ویژگی های الکترونیکی [1] و نوری [2,3] بسیار خوبی که دارند، توجه گسترده ای برای کاربردهای آتی دستگاه الکترونی به خود جلب کرده اند. ساختارهای نمونۀ اولیه عملکرد خوبی برای ترانزیستورها [4]، اتصالات [5]، سوئیچ های الکترومکانیکی [6]، امیتر های مادون قرمز [2,3] و حسگرهای زیستی [7] از خود نشان داده اند. با این حال، برای استفاده از MOSFET های CNT در کاربردهای واقع بینانۀ IC، خواص مواد مانند باندگپ (EG) باید دقیقا کنترل شود. اگر چه بود و نبود باندگپ تابعی قوی از کایرالیتی آن است [8]، در حال حاضر هیچ راه ساده ای برای کنترل کایرالیتی CNT در طول رشد وجود ندارد...
ساختار باندی کربن چگالی جریان گرافن فن آوری نانو نانوسیم
:کلمات کلیدی
Abstract
The upper limit performance potential of ballistic carbon nanoribbon MOSFETs (CNR MOSFETs) is examined. Calculation of the bandstructure of nanoribbons using a single pz-orbital tight-binding method and evaluation of the current-voltage characteristics of a nanoribbon MOSFET were used in a semiclassical ballistic model. The authors find that semiconducting ribbons a few nanometers in width behave electronically in a manner similar to carbon nanotubes, achieving similar ON-current performance. The calculations show that semiconducting CNR transistors can be candidates for high-mobility digital switches, with the potential to outperform the silicon MOSFET. Although wide ribbons have small bandgaps, which would increase subthreshold leakage due to band to band tunneling, their ON-current capabilities could still be attractive for certain applications
Keywords:
MOSFET carbon nanotubes graphite nanotechnology nanowires
سایر منابع مهندسی برق-مهندسی برق الکترونیک در زمینه ترانزیستور اثر میدانی