دانلود مقاله ترجمه شده تمام جمع کننده‌ ی توان پایین با استفاده از تکنیک MTCMOS


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2000185 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
قیمت :
765,000 ریال
شناسه محصول :
2000185
سال انتشار:
2010
حجم فایل انگلیسی :
405 Kb
حجم فایل فارسی :
306 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
pdf+word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

تمام جمع کننده‌ ی توان پایین با استفاده از تکنیک MTCMOS

عنوان انگليسي

Low Power Full Adder Using MTCMOS Technique

نویسنده/ناشر/نام مجله

International Conference on Advances in Information Communication Technology and VLSI Design

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 5 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 9 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی


چکیده

 CMOS چند آستانه‌ای تکنیک مداری محبوبی است که امکان کارایی بالا با عملکرد توان پایین را فراهم می‌کند. این تکنولوژی هم ویژگی‌ ماسفت ولتاژ آستانه‌پایین هم ویژگی ماسفت ولتاژ آستانه بالا را در یک مدار از خود نشان می‌دهد. در حالیکه ترانزیستورهای ولتاژ آستانه پایین برای کاهش زمان تاخیر انتشار مورد استفاده قرار می‌گیرند، ترانزیستورهای ولتاژ آستانه بالا برای کاهش مصرف توان مورد استفاده قرار می‌گیرند. این مقاله یک تمام جمع‌کننده‌ی توان پایین با تکنولوژی MTCMOS را توصیف می‌کند. در مقایسه با مدار CMOS متداول، مدار پیشنهادی توان مصرفی را تا 59 درصد کاهش می‌دهد. شبیه‌سازی بر روی tanner EDA در تکنولوژی BSIM3v3 180 nm انجام شده‌است.

1-مقدمه

با ظهور مدارهای مجتمع تاکید بیشتری بر کارایی و کوچک‌سازی شد. ولی با افزایش اهمیت وسایل برقی قابل حمل و وسایلی که با باتری کار می‌کنند، فاکتور کلیدی که باید به آن توجه کرد مصرف توان است. به دلیل پیشرفت تکنولوژی ساخت، اندازه‌ی کوچک می‌شود و منجر به جمع‌شدن ترانزیستورهای بیشتری در یک مدار مجتمع می‌شود. در نتیجه، اندازه‌ی توان بر واحد سطح هم افزایش می‌یابد[1] و مشکل حذف گرما و خنک‌سازی بیشتر می‌شود. برای حفظ دمای تراشه در یک سطح قابل قبول گرمای تلف شده باید حذف شود، از این‌رو هزینه‌ی رفع گرما و خنک‌سازی در این مدارها فاکتور مهمی است. به دلیل مکانیزم شکست سیلیکون از جمله الکترومیگریشن در اثر اتلاف زیاد توان قابلیت اطمینان تراشه به میزان زیادی کاهش می‌یابد. مقیاس‌گذاری خطی ولتاژ منبع با اندازه از تکنولوژی نیم میکرون شروع شد. ولی مقیاس‌گذاری منبع توان بر روی سرعت مدار تاثیر می‌گذارد[2]. طراحی مدارهایی با توان کم و سرعت بالا مستلزم صرف زمان و تلاش است...

 CMOS چند آستانه‌ای (MTCMOS) مدار توان پایین تمام جمع‌کننده :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی


Abstarct

Multi-threshold CMOS is popular circuit technique that enables high performance and low power operation. This technology features both low threshold voltage and high-threshold voltage MOSFET in a circuit. While the low-threshold voltage transistors are used to reduce the propagation delay time ,the high-threshold voltage transistors are used to reduce the power consumption  This paper describes a low-power full adder with MTCMOS technology. Comparing with the conventional CMOS circuit, the proposed circuit is achieved to reduce the power consumption by 59%.Simulation has been done on tanner EDA tool at BSIM3v3 180nm technology

 
 Keywords: Multithreshold CMOS (MTCMOS) low power circuit full adder
این برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]
مقاله مهندسی برق با ترجمه

سایر منابع مهندسی برق-مهندسی برق الکترونیک در زمینه ترانزیستور

Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > تمام جمع کننده‌ ی توان پایین با استفاده از تکنیک MTCMOS
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
نمایش مقالات موضوع بندی شده
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید
دعوت به همکاری
تکمیل فرم همکاری جهت فروش فایل
وبلاگ ها
آموزش ترجمه و زبان ( 8 )
آموزش مقاله نویسی ( 21 )
نکات و آموزش دانشگاهی ( 1 )
عکس نوشته انگلیسی ( 104 )