چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟ 
             
            
        
        
            
                فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2008539 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
                
                
                   
 
 
  
     
 
 
 
 
      
    
                    
                        
                        
                     
                
                     
                  
                             
                                  
       
                                      
                             
                   
                    
                         
       حجم فایل انگلیسی :     
    
                         
                             
    557 Kb  
                         
                           
              
                         
       حجم فایل فارسی :     
    
                         
                             
    285 کیلو بایت  
                         
                           
            
                 
                         
       نوع فایل های ضمیمه :     
    
                         
                             
    Pdf+Word  
                         
                           
               
                       
                            
                         
                         
   کلمه عبور همه فایلها :     
   
                         
                             
     www.daneshgahi.com    
                    
             
                         
                                
                           
                        
             
         
     
    
        
            
              
                 عنوان فارسي
            
        
        
            
                
               
                 
            
              
                تحلیل شدت نسبی نویز دستگاه های دارای اجزای اپتوالکترونیک متشکل از ترانزیستور نوری با پیوند ناهمگون و دیود لیزری
            
            
         
     
    
        
            
           
                   عنوان انگليسي
            
        
        
            
           
                  
            
                Analysis for relative intensity noise of optoelectronic integrated device by heterojunction phototransistor and laser diode
            
            
         
     
    
    
        
            
                این مقاله چند صفحه است؟
             
            
        
        
            
                این مقاله ترجمه شده  مهندسی برق شامل 7 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف  و 20 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است 
            
         
     
 
     
   
     
    
    
        چکیده
تحلیل شدت نسبی نویز (RIN) یکی از ملاحظات مهم برای طراحی بهینه ی عملکرد سیستم در اکثر سیستم های ارتباطات نوری است. یکپارچه سازی دستگاه های نوری و الکترونیکی موجب ایجاد مشخصه های جدید همچون فیدبک داخلی الکتریکی و نوری در میان اجزا شده است. این بر عملکرد نویز دستگاه نیز اثر خواهد گذاشت. یک تحلیل کمّی بر روی عملکرد RIN دستگاه یکپارچه ی اپتوالکترونیکی متشکل از دیود لیزری (LD) و ترانزیستور نوری با پیوند ناهمگون (HPT) ارائه شده است. ما اثرات فیدبک نوری داخلی حاصل از LD بر HPT و تکثیر بهمنی در دستگاه را نیز در نظر گرفتیم. مشخص شد که فیدبک نوری داخلی موجب بهبود RIN دستگاه بویژه در نزدیکی آستانه میشود. 
1-مقدمه
دستگاه های یکپارچه ی اپتوالکترونیکی (OEID) با عملکرد تقویت و کلیدزنی نوری توجهات بسیاری را در پردازش سیگنال نوری به خود معطوف داشته اند. در OEID، دستگاه های نوری و الکترونیکی در هم ادغام شده اند، این عمدتاً به صورت عمودی و بدون استفاده از المان های هدایتی در میان آنها است [1]. آنها معمولاً از یک بخش تشخیص نوری و یک جزء گسیل نوری تشکیل شده اند....
 
 
         
 تحلیل شدت نسبی نویز  ترانزیستور نوری  
:کلمات کلیدی 
     
     
        Abstract
Analysis for  relative  intensity  noise  (RIN)  is an  important consideration for  the  optimum  design of  system  performance in  most  of  the  optical communication systems. Monolithic integration of  optical and  electronic devices  leads  to  new  characteristics such  as  internal electrical  and  optical  feedback among the  components. This  will  also  affect  the  noise  performance of  the  device.  A  quantitative analysis  for  the RIN performance of an optoelectronic integrated device composed of a laser diode (LD) and a heterojunction phototransistor (HF’T) is  presented. We  consider effects  of  the  internal optical feedback from  the  LD  to  the  HPT,  and  of  avalanche  multiplication in the  device.  It is found  that  the  internal  optical feedback improves the RIN of  the  device, especially near the  threshold.
        Keywords:  
 optoelectronic  
 
     
        
        
            
                
                سایر منابع مهندسی برق در زمینه اپتوالکترونیک