دانلود مقاله ترجمه شده ترانزیستورهای اثر میدان گرافنی با نسبت جریان روشن و خاموش بالا و گاف انرژی انتقال بزرگ در دمای اتاق


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2005881 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
قیمت :
695,000 ریال
شناسه محصول :
2005881
سال انتشار:
2010
حجم فایل انگلیسی :
1 Mb
حجم فایل فارسی :
435 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

ترانزیستورهای اثر میدان گرافنی با نسبت جریان روشن و خاموش بالا و گاف انرژی انتقال بزرگ در دمای اتاق

عنوان انگليسي

Graphene Field-Effect Transistors with High On/Off Current Ratio and Large Transport Band Gap at Room Temperature

نویسنده/ناشر/نام مجله

nano letters

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 4 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 7 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

گرافن به خاطر خاصیت‌های الکتریکی خاصی که دارد به‌عنوان یک کاندید امیدوارکننده برای آینده نانو الکتریک محسوب می‌شود. متأسفانه ترانزیستورهای اثر میدان گرافنی (FETs) به دلیل فقدان گاف انرژی نمی‌توانند به‌طور مؤثر حالت خاموش داشته باشند که منجر به یک نسبت جریان روشن و خاموش معمول حدود 5 در ترانزیستورهای گیت بالای گرافنی FETs می‌شود. از طرف دیگر، تحقیقات تئوری و  اندازه‌گیری‌های اپتیکی یک گاف انرژی بیش از چند صد میلی الکترون‌ولت ایجادشده به‌وسیله تأثیر یک میدان عمود بر گرافن دولایه، ارائه می‌دهند و نیز اندازه‌گیری انتقال حامل‌های قبلی در ترانزیستورهای گرافن دولایه یک حالت عایق گیت القایی را در دمای پایین‌تر از 1 کلوین، نشان دادند، گاف انرژی الکتریکی (یا انتقالی) حدود چند میلی الکترون‌ولت برآورد شده بود، و در دمای اتاق نیز نسبت جریان حالت روشن و خاموش در FET های گرافن دولایه شبیه FET هایی با گرافن یک‌لایه باقی می‌ماند. در اینجا برای اولین بار ما در FET گرافنی دولایه‌مان  یک نسبت جریان روشن و خاموش حدود 100 و 2000 به ترتیب در دمای اتاق و در دمای 20 کلوین را گزارش دادیم. ما همچنین یک گاف انرژی الکتریکی بیش از 130 و 80 میلی الکترون‌ولت را به ترتیب در جابجایی الکتریکی متوسط 2.2 و 1.3 ولت بر نانومتر اندازه‌گیری کردیم. این نتایج پتانسیل خیلی خوب به‌کارگیری گرافن دولایه را در پروژه‌هایی مثل دیجیتال الکترونیک، شبه اسپینترونیک، فنّاوری‌های تراهرتز (فرکانس بالا) و نانو فوتونیک مادون‌قرمز، به نمایش می‌گذارد.

1-مقدمه

اخیراً گرافن به خاطر خاصیت‌های الکتریکی منحصربه‌فردش توجه خیلی زیادی را جلب کرد. ازآنجاکه درنهایت گرافن درهای جدیدی به روی ما درزمینهٔ دیجیتال الکترونیک (digital electronics)، انتقال اطلاعات به‌وسیله ایجاد تغییر در اسپین (pseudospintronics)، فنّاوری‌های فرکانس بالا (terahertz technology) و نانوفوتونیک مادون‌قرمز (infrared nanophotonics) باز می‌کند، ساختن یک گاف انرژی در گرافن احتمالاً یکی از مهم‌ترین و وسوسه‌انگیزترین موضوعات تحقیقی در حوزه گرافن باقی گذاشته است...

 گرافن ترانزیستور اثر میدان نسبت جریان روشن و خاموش گاف انرژی انتقالی دیجیتال الکترونیک :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی

Abstract

Graphene is considered to be a promising candidate for future nanoelectronics due to its exceptional electronic properties. Unfortunately, the graphene field-effect transistors (FETs) cannot be turned off effectively due to the absence of a band gap, leading to an on/off current ratio typically around 5 in top-gated graphene FETs. On the other hand, theoretical investigations and optical measurements suggest that a band gap up to a few hundred millielectronvolts can be created by the perpendicular E-field in bilayer graphenes. Although previous carrier transport measurements in bilayer graphene transistors did indicate a gate-induced insulating state at temperatures below 1 K, the electrical (or transport) band gap was estimated to be a few millielectronvolts, and the room temperature on/off current ratio in bilayer graphene FETs remains similar to those in single-layer graphene FETs. Here, for the first time, we report an on/off current ratio of around 100 and 2000 at room temperature and 20 K, respectively, in our dual-gate bilayer graphene FETs. We also measured an electrical band gap of >130 and 80 meV at average electric displacements of 2.2 and 1.3 V.nm−1, respectively. This demonstration reveals the great potential of bilayer graphene in applications such as digital electronics, pseudospintronics, terahertz technology, and infrared nanophotonics

 Keywords: Graphene field-effect transistors on/off current ratio transport band gap digital electronics
این برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر ، را ببینید. همچنین این در گرایش های: کلیه گرایش ها، می تواند کاربرد داشته باشد. [ برچسب: ]
مقاله مهندسی برق با ترجمه

سایر منابع مهندسی برق-مهندسی برق الکترونیک در زمینه ترانزیستور گرافنی

Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > ترانزیستورهای اثر میدان گرافنی با نسبت جریان روشن و خاموش بالا و گاف انرژی انتقال بزرگ در دمای اتاق
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
نمایش مقالات موضوع بندی شده
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید
دعوت به همکاری
تکمیل فرم همکاری جهت فروش فایل
وبلاگ ها
آموزش ترجمه و زبان ( 8 )
آموزش مقاله نویسی ( 21 )
نکات و آموزش دانشگاهی ( 1 )
عکس نوشته انگلیسی ( 104 )