دانلود مقاله ترجمه شده مدل تحلیلی یکپارچه جریان قابل اجرا در حالت تجمعی (بدون پيوندگاه) وحالت معکوس MOSFET با ساختارهای متقارن و نامتقارن گیت دوگانه

یک مدل تحلیلی یکپارچه، بر مبنای یک راه حل تقریبی معادله پواسون، برای منحنی مشخصه های جریان ولتاژ (I-V)  در حالت تجمعی (FET های بدون پیوند) و حالت معمولی  MOSFET های معکوس که دارای ساختارهای  متقارن و نامتقارن گیت دوگانه هستند، ارائه شده است. به عنوان یک مدل واحد، این مدل در هر دو ماسفتهای بدون پیوند و ماسفت های معمولی دو گیته قابل اجرا است و همچنین نشان دهنده مشخصه های I-V  از MOSFET های با حالتهای متقارن و نامتقارن است. مدل با گیت های متقارن و نامتقارن برای دوپینگ بدنه، ضخامت بدنه، و ضخامت اکسید پشت و جلوی گیت در نظر گرفته شده است. نتایج حاصل از این مدل با نتایج شبیه سازی TCAD  مقایسه شده و نتایج مطابقت بسیار خوبی باهم دارند.

1-مقدمه

ترانزيستورهاي MOSFET بدون پيوند (JL) به تازگی ارائه شده اند و طبق نتایج تجربی نشان داده در[1-3]  این ترانزیستورها یک ترانزیستور بدون پیوند سورس/درین هستند و کاربردهای گسترده ای دارند و توسط ضخامت بدنه سیلیکونی طراحی شده اند و می تواند تحت کنترل بایاسهای گیت روشن و خاموش شوند. ماسفتهای JL  دارای ویژگی های مطلوب بسیاری مانند نبود اتصالات ناگهانی (که فرآیند تولید آنها را دشوار می سازد)، یک ساختار تولید ساده شده و غیره هستند. تحقیقات تئوری در مورد JL MOSFET با ساختار متقارن دو گیته [4]  و ساختار نانوسیم استوانه ای شکل (NW) [5] بررسی شده اند. مدلی از یکJL SOI-FET  [6] گزارش شده است. تفاوت عمده بین ماسفتهای JL  و ماسفتهای متداول حالت معکوس، در نوع دوپینگ بدنه آنها  (دوپینگ بدنه نوع n برای JL MOSETs  ها و دوپینگ بدنه نوع p برای ماسفتهای متعارف نوع n) و حالت انتقال (حالت تجمعی برای ماسفتهای JL و حالت معکوس برای ماسفت های معمولی) می باشد...