دانلود مقاله ترجمه شده مدل هسته کامپکت (کم حجم) ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن

چکیده

یک مدل تحلیلی شارژشونده کامپکت برای ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن پیشنهاد شده است. این مدل یک مدل فیزیکی است که هردو موضوع کاهش مصرف و تجمع یا انباشتگی شرایط عملیاتی را در نظر گرفته است و همچنین اثر مقاومت سری در این مدل گنجانده شده است. اکثر پارامترهای مدل به کمیتهای فیزیکی مربوط می شود، و رویکرد استخراج برای هر یک از آنها به خوبی بیان شده است. این مدل توصیف دقیقی از رفتار ترانزیستور در تمام شرایط عملیاتی خواهد داشت. در مقایسه با مدل های قبلی مزایای این مدل گنجاندن اثر مقاومت سری و تححق بخشیدن به موضوع تقارن نسبت به است. این مدل با شبیه سازی برای مقادیر غلطت های دوپینگ  و  و همچنین برای ضخامت لایه از 10 و 15  نانومتر (در حالت نرمال خاموش) ارزیابی شده است.

1-مقدمه

نانوسیم ها همانند ترانزیستور MOS عمل می کنند، که در آن ناحیه سورس و درین دارای نوع دوپینگ مشابه هستند و غلظت محدوده کانال به عنوان ترانزیستور بدون پیوند (JLT) شناخته شده است. این نوع ترانزیستور، که در سال 2009 [1] پیشنهاد شدند، می تواند در یک ساختار مشابه ترانزیستورهای FINFET  بدون کاشت یونی در سورس/درین و بدون استفاده از لایه کانال به شدت دوپ شده جهت بهبود هدایت ور سانایی ترانزیستور ساخته شود. توصیف مفصل نظری این ترانزیستورها در مقاله [2] ارائه شده، اثر عرض کانال برروی مشخصه های JLT  در مقاله[3]  بررسی شده و تغییرات عملکرد با مقیاس و ابعاد ترانزیستور در [4] توصیف شده است. مدل های مختلف برای پارامترها و بخشهای JLT  ارائه شده اند، به عنوان مثال، در [5]  یک مدل برای ولتاژ آستانه و یک مدل برای بخش زیرآستانه ارائه شده اند...