دانلود مقاله ترجمه شده یک OTA CMOS 0.5 ولت، 900 میکرو وات با استفاده از بالک درایون(تحریک بدنه) و تکنیک جبرانسازی هیبرید

یک تقویت کننده ترانسکنداکتانس عملیاتی (OTA) توان، ولتاژ خیلی کم در این مقاله ارائه شده است. توپولوژی پیشنهادی بر اساس زوج دیفرانسیلی ورودی بالک درایون می باشد. دو خازن مجزا برای جبرانسازی اپ امپ استفاده شده که یکی از آن‌ها در مسیر سیگنال استفاده شده و دیگری در مسیر بدون سیگنال استفاده شده است. مدار در تکنولوژی CMOS 0.18 میکرومتر طراحی می‌شود. نتایج شبیه سازی نشان می‌دهد که تقویت کننده، گین dc حلقه باز 84.1 دسی بل دارد و پهنای باند گین واحد KH81 زمانی که  در ولتاژ تغذیه V 0.5 عمل می‌کند. توان مصرفی برآیند 900 نانو وات است که تقویت کننده را برای کاربردهای    biomedicalتوان کم مناسب می‌سازد.

1-مقدمه

همانطوری که سایز پروسه‌های CMOS کاهش می‌یابد، ماکزیمم منبع توان قابل استفاده به صورت مستمر کاهش می‌یابد. مانع اصلی در اجرای مدارات CMOS ولتاژ پایین، ولتاژ آستانه است که به همان نسبتی که منبع توان کاهش می یابد، کم نمی‌شود. برای مقابله با این تعارض بدون نیاز به توسعه تکنولوژی‌های CMOS گران با ولتاژهای آستانه پایین، تکنیک‌های طراحی مدار جدید باید توسعه داده شوند که با تکنولوژی های CMOS در آینده سازگار است...