دانلود مقاله ترجمه شده یک تقویت کننده 10.5 Gb/s با امپدانس جهتی با استفاده از روش بازتولید امیتر خازنی


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2005345 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
قیمت :
615,000 ریال
شناسه محصول :
2005345
سال انتشار:
2009
حجم فایل انگلیسی :
784 Kb
حجم فایل فارسی :
736 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

یک تقویت کننده 10.5 Gb/s با امپدانس جهتی با استفاده از روش بازتولید امیتر خازنی

عنوان انگليسي

A 10.5 Gb/s transimpedance amplifier using capacitive emitter degeneration technique

نویسنده/ناشر/نام مجله

Solid-State Electronics

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 4 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 9 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

یک تقویت کننده با امپدانس جهتی با فیدبک موازی اصلاح شده با فناوری تجاری SiGe (سیلیکون ژرمانیم) BiCMOS 0.35 میکرومتر ارائه می شود. یک روش بازتولید امیتر خازنی برای بهبود عملکرد پهنای باند تقویت کننده با امپدانس جهتی به کار رفته است. بهره امپدانس جهتی 56dB Ω، پهنای باند -3dB برابر با 6.2 GHz با مقدار ظرفیت خازن پارازیتی 0.4 pF و چگالی طیف جریان نویز 9.46 pA/(Hz)1/2 حاصل می شود. مدار کلی با منبع تغذیه 3.3 ولتی، 29mW توان تلف می کند و اندازه تراشه فقط 0.25×0.165mm2 است.

1-مقدمه

معمولا ساخت عناصر آنالوگ با گیرنده نوری (AFE) و آشکارسازهای نوری به شدت به فناوری های نیمه رسانای پرهزینه وابسته است زیرا قطعات و مدارات ساخته شده عملکرد سرعت و نویز بسیار خوبی نشان می دهند. در سال های اخیر، فناوری SiGe BiCMOS جایگزین مناسبی از نظر هزینه برای آی سی (مدار مجتمع) های مخابراتی و توسعه آشکارسازهای نوری شده است. در این مقاله، فناوری تجاری SiGe (سیلیکون ژرمانیم) BiCMOS 0.35 میکرومتر با fT (فرکانس قطع) 50 GHz به دلیل هزینه کمتر و توانایی فرکانس قطع معقول، برای تحقق یک تقویت کننده با امپدانس جهتی دو طبقه (TIA) برای کاربردهای 10.5 Gb/s انتخاب شده است...

 تقویت کننده با امپدانس جهتی عنصر آنالوگ با گیرنده نوری آشکارساز نوری :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی

Abstract

A 10.5 Gb/s modified shunt-feedback transimpedance amplifier in a commercial 0.35 μm SiGe BiCMOS technology is presented. A capacitive emitter degeneration technique was used to improve the bandwidth performance of the transimpedance amplifier. It achieved a transimpedance gain of 56 dB Ω, a _3 dB bandwidth of 6.2 GHz with a 0.4 pF input parasitic capacitance value, and a noise current spectral density of 9.46 pA/(Hz)1/2. The total circuit dissipates 29mW under a 3.3 V supply, and the chip size is only 0.25×0.165 mm2

 Keywords: Transimpedance amplifier Optical receiver analog front-end Photodetector
این برای گرایش های: مهندسی برق مخابرات،مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر ،سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]
مقاله مهندسی برق با ترجمه
Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > یک تقویت کننده 10.5 Gb/s با امپدانس جهتی با استفاده از روش بازتولید امیتر خازنی
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
نمایش مقالات موضوع بندی شده
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید
دعوت به همکاری
تکمیل فرم همکاری جهت فروش فایل
وبلاگ ها
آموزش ترجمه و زبان ( 8 )
آموزش مقاله نویسی ( 21 )
نکات و آموزش دانشگاهی ( 1 )
عکس نوشته انگلیسی ( 104 )