دانلود مقاله ترجمه شده مدل یکپارچه و تحلیلی جریان درین FinFET های سه گیتی کانال-بلند

چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2005300 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید برای دریافت لینک دانلود مقاله آدرس ایمیل خود را درج نمایید

مایل به دریافت ترجمه فارسی هستید؟

قیمت :

765,000 ریال

شناسه محصول :

2005300

سال انتشار:

2012

حجم فایل انگلیسی :

318 Kb

حجم فایل فارسی :

307 کیلو بایت

نوع فایل های ضمیمه :

Pdf+Word

کلمه عبور همه فایلها :

www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

مدل یکپارچه و تحلیلی جریان درین FinFET های سه گیتی کانال-بلند

عنوان انگليسي

Analytical Unified Drain Current Model of Long- Channel Tri-Gate FinFETs

نویسنده/ناشر/نام مجله

28th INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 4 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 12 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

در این مقاله مدل ساده، یکپارچه، فشرده و تحلیلی جریان درین برای FinFET های سه گیتی دوپ نشده (یا کمی دوپ شده) ارائه شده است و قابل استفاده برای تمام نواحی کاری می باشد. چگالی بار صفحه ای نرمالیزه شدۀ یکپارچه در جایی استفاده می شود که رفتار ناحیۀ زیرآستانه در عباراتی که معمولا برای توصیف ناحیۀ وارونگی به کار می رود، جای گرفته باشد. این مدل را می توان به عنوان مبنایی برای توسعۀ مدل کانال-کوتاه به کار برد و اثرات کانال-کوتاه را می توان از طریق اصلاحات مناسب به مدل اصلی اضافه کرد. این مدل از طریق مقایسۀ مشخصه های انتقالی و خروجی و مشتقات اول آنها با شبیه سازی های دستگاه مورد تایید قرار گرفته است.

1-مقدمه

در ماه مه 2011، اینتل اعلام کرد که از MOSFET های سه گیتی (TG) به نام FinFET به منظور گسترش تکنولوژی CMOS به گره 22 نانومتری در 2012 استفاده می کند [1]. FinFET ها به دلیل مصونیت از اثرات کانال-کوتاه (SCE) و نزدیکی به فرآوری استاندارد CMOS مسطح حجمی، در بیشتر موارد به عنوان بهترین گزینه برای مقیاس بندی اضافی MOSFET ها، به ویژه پس از اعلام اینتل، شناخته می شوند [1] - [5]...

مدل جریان درین FinFET کانال بلند :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی

Abstract

A simple unified analytical compact drain current model for undoped (or lightly doped) triple-gate FinFETs is presented, functional for all regions of operation. A unified normalized sheet charge density is used where the behavior of the subthreshold region is embedded within the expressions commonly used to describe the inversion region. The model can be used as a basis for the development of a short-channel model where short-channel effects can be introduced through proper corrections in the core model. The model has been validated by comparing the transfer and output characteristics and their first derivatives with device simulations

Keywords: Drain Current Model FinFET Long Channel

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق الکترونیک، را ببینید. [ برچسب: مقاله ترجمه شده مهندسی برق الکترونیک در زمینه مدل جریان درین]