دانلود مقاله ترجمه شده خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های بسیار نازک نانو کریستال کروم/سیلیس ایجاد شده به وسیله فرآیند رسوب دهی الکتروشیمیایی

خواص انتقالی الکترونیکی لایه های بسیار نازک و کریستالی با اندازه نانو از فلزات رسوب داده شده روی نیمه هادی ها، نقش مهمی در پیشرفت ابزار الکترونیکی در مقیاس نانو بازی می کند. در این مقاله خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های بسیار نازک (2 nm ÷ 150 nm) متشکل از نانو کریستال های Cr که به روش رسوب دهی الکتروشیمیایی روی تک کریستال های فسفر دار n-Si (100) ایجاد شده اند، مورد بحث و بررسی قرار می گیرند. این لایه ها با استفاده از یک روند الکتروشیمیایی مورد استفاده برای رسوب دهی الکتریکی یک محلول پایه کروم اکسیدی (CrO₃)، آماده شدند. همان گونه که از اندازه گیری های AFM مشهود است، نانوکریستال های 3 بعدی کروم، مطابق مکانیزم ولمر-وبر، حول زیرلایه سیلیسی رشد می­کنند. تحلیل های مقاومت اپتیکی برای مجموعه ای از نمونه های رسوب داده شده با چگالی بارهای مختلف، ما را قادر می سازد که شروع رسانایی فلزی را، که به واسطه نفوذ لایه های فلزی جزیره مانند Cr روی زیرلایه نیمه هادی اتفاق می افتد، تشخیص داده و تعیین کنیم.

1-مقدمه

اخیراً به دلیل تقاضا و کاربرد روزافزون در فناوری میکروالکترونیک، فصل مشترک فلز/سیلیس توجه زیادی را به خود جلب نموده است. امروزه تحقیق و مطالعه روی تعامل میان سیلیس یا اکسید آن و فلزات اهمیت بسیاری پیدا کرده است؛ چون سیلیس ماده ی اصلی در فناوری ابزار الکترونیکی بوده و نیاز شدیدی به تماس اهمی خوب آن با فلزات هادی و یا نیاز به سلول های فوتو الکتروشیمیایی وجود دارد. سیستم Cr/Si به واسطه ی پایداری بالای سیلیسید کروم، توجه زیادی را به خود جلب کرده است...