دانلود مقاله ترجمه شده یک مدل I-V چهار پارامتره ی جامع برای مشخصات خروجی GaAs MESFET

 یک مقایسه ای از نُه مدل مختلف V-I غیر خطی، برای شبیه سازی مشخصات dc GaAs MESFET زیر میکرون، انجام شده است. جریان دِرِین به سورس، I_ds بصورت تابعی از ولتاژهای گیت به سورس، V_gs و درین به سورس، V_ds، شبیه سازی شده است و سپس با داده های آزمایشگاهی مقایسه شده است. جهت تعیین دقت یک مدل، خطاهای مربع-میانگین-ریشه (RMS)، محاسبه شد. کمترین خطای RMS، برای مدل Ahmed مشاهده شد، درحالیکه آن (خطای RMS)، برای مدل Statz، بیشترین مقدار بود. یک پیوند ایده آل سد شاتکی، بدون حالت های مرزی، در این مدل ها، فرض شده است و بنابراین، کاربرد هایشان، در شبیه سازی قطعه، محدود شده است. جهت شبیه سازی مشخصات خروجی یک GaAs MESFET که دارای چگالی محدودی از حالت ها، در سد شاتکی می باشد، مدل Ahmed، تغییر داده شده است. آن ثابت شده است که مدل پیشنهادی، یک مدل جامع بوده و می تواند، مشخصات قطعه را، با دقت فوق العاده بهبود یافته، برای شرایط متغیر سد شاتکی ، شبیه سازی کند.

GaAs MESFETهای زیر میکرون، برای دیدگاه های کاربردی و تحقیقات پایه ای، مورد توجه بوده اند. در مداربندی آنالوگ و دیجیتال با فن آوری های پیشرفته، این قطعات، بدلیل ویژگی های بهره ای و نویزی ممتازشان، استفاده می شوند. مشخصات خروجی این قطعات، می تواند با استفاده از روش مدل سازی، شبیه سازی شود: (a) مدل های عددی و (b) مدل های فیزیکی. مدل های عددی دو بعدی مشروح، با مشخصات دقیق وابسته به میدان سرعت حامل در کانال، اگرچه دقیق تر هستند، برای استفاده در برنامه های طراحی مدار، بدلیل پیچیدگی و پارامترهای خیلی زیادشان، مناسب نمی باشند...