دانلود مقاله ترجمه شده رشد کنترل شده ی نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری پالسی بخار شیمیایی فلز آلی

رشد کنترل شده و تکرارپذیر نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری پالسی بخار شیمیایی فلز آلی در فشار کم به اثبات می رسد. استفاده از نانونقاط Ni خودتجمعی بعنوان محل های هسته سازی روی زیرلایه های یاقوت (0001) ، ما نانوسیم هایی از جنس GaN در فاز وورزیت (wurtzite-phase) به دست می آوریم که سطح مقطع های شش گوش به قطر حدود 100 nm و طول کنترل شده دارند. نانوسیم ها کاملا جهت دارد و عمود بر سطح رشد هستند. سیم ها مشخصات ساختاری و اپتیکی خوبی دارند که توسط پراش پرتو ایکس، نورتابی کاتدی و پراکندگی رامان مشخص می شوند. اندازه گیری ها نشان می دهند که نانوسیم ها تحت وضعیت کششی پیچیده ای هستند که مطابق با هم پوشانی مولفه های هیدروستاتیک و دومحوری آنهاست.

نانوسیم های نیمرسانا ساختارهای شبه تک بعدی دارند و خصوصیات الکتریکی و اپتیکی خاصی از خود نشان می دهند. تحقیقات قابل توحهی به سنتز نانوسیم های GaN معطوف شده است. تهیه سیم به کمک اپی تکسی پرتو مولکولی ، ساییدگی لیزری هدف های حاوی GaN، واکنش مخلوط Ga/Ga2O3 با NH3 در نمونه های آمونیاک آندی، واکنش مستقیم Ga با NH3 در یک کوره تیوبی و رسوبگیری بخار شیمیایی از پیش ماده های حاوری Ga و روی زیرلایه های NH3  با روکش کاتالیست همه گزارش شده اند. تهیه سیم معمولا بر اساس مکانیزم رشد بخار-مایع-جامد (VLS) با استفاده از نانوذرات کاتالیستی In، Au, Fe, Ni,  یا  Co صورت می گیرد. توجه زیادی اخیرا به سنتز نانوسیم های GaN به وسیله رسوبگیری بخار شیمیایی فلز آلی (MOCVD) معطوف شده است. در این کار نمونه های نانوسیم توسط MOCVD کم فشار در یک راکتور سر دوش بسته رشد یافتند...