دانلود مقاله ترجمه شده تاثیر خواص پیوند Si:H/ITO در عملکرد سلول های خورشیدی ناهمگون

چکیده
در این مقاله، اثرات خواص تماس بین اکسید ایندیوم قلع (ITO)و سیلیکون آمورف هیدروژنه شده (a-Si:H) در عملکرد سلول های خورشیدی ناهمگون (HJ)  یعنی a-Si:H/c-Si  بررسی شده است. به طور تجربی این مقاله نشان داده است که افزایش ضخامت لایه (p) در a-Si:H می تواند ولتاژ مدار باز (VOC)  را بهبود دهد بلکه فاکتور پرکردن (FF)  سلول را نیز بهبود می دهد. با توجه به شبیه سازی ما یک توضیح از این افزایش غیر منتظره پیشنهاد داده ایم. رسوب ITO  با کارایی کم بر (p) a-Si:H در واقع منجر به کاهش امیتر (الكترون فشانی) سلول می شود، که در نتیجه به طور موثر منجر به افزایش انرژی فعال سازی آن می شود و مقاومت آن مقادیر VOC و FF  را تحت تاثیر قرار می هد. نتایج این بینش جدید ما را رهنمود می سازد که بیشتر به بهینه سازی پشته HJ  کمک نماییم.

1-مقدمه

علاقه مندی زیادی به استفاده از سلول های خورشیدی ناهمگون (HJ) سیلیکنی نامنظم هیدروژنه شده (a-Si:H)/ بلوری سیلیکون (c-Si) به دلیل راندمان بالای آنها  (> 20٪) در سیستمهای بزرگ جهت اعمال آنها در یک فرآیند ساخت صنعتی ایجاد شده است [1]. عملکرد سلول HJ نشان داده شده در شکل 1 به شدت به غلظت دوپینگ، چگالی حجمی و ضخامت های مربوطه از لایه های (p) a-Si:H/ (i) a-Si:H  که شکل گیری امیتر سلولها را تعیین می کنند، بستگی دارد. در واقع، اصلاح خواص آنها برروی حمل و نقل حامل جریان در محل اتصال (نوترکیبی، اثر میدانی) و تولید روشنایی [2-4] تاثیر می گذارد. علاوه بر این، خواص دقیق رسانای اکسید (TCO) الکتریکی (عمدتا عملکرد موثر (EWF) و هدایت آن) و نوری (شفافیت، جذب) نیز برای بهینه سازی کامل امیتر سلوها باید در نظر گرفته شوند...