مقالات ترجمه شده در زمینه ترانزیستور اثر میدانی - مهندسی برق


لیست مقاله های ترجمه شده مهندسی برق در رابطه با ترانزیستور اثر میدانی در این بخش قابل مشاهده بوده و می توانید مقاله های انگلیسی مهندسی برق با ترجمه فارسی آن در رابطه با ترانزیستور اثر میدانی را در ادامه مشاهده و دانلود فرمایید.
برای مشاهده همه مقالات ترجمه شده مهندسی برق به صورت موضوع بندی شده کلیک کنید
T-CNTFET with Gate-Drain Overlap and Two Different Gate Metals: A Novel Structure with Increased Saturation Current
T-CNTFET با همپوشانی گیت-درین و دو گیت فلزی مختلف: ساختاری جدید با افزایش جریان اشباع
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 820,000 ریال
شناسه محصول: 2007736
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Analysis of Temperature Dependent Effects on I–V Characteristics of Heterostructure Tunnel Field Effect Transistors
تحلیل اثرات دما بر مشخصه های I-V در ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی با ساختار ناهمگون
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 1,270,000 ریال
شناسه محصول: 2006446
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Advances in Computational Modeling of Electronic Devices Based on Graphene
پیشرفت های مدلسازی محاسباتی دستگاه های الکترونیکی پایه گرافینی
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 985,000 ریال
شناسه محصول: 2007249
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Ternary logic implementation and its applications using CNTFET
اجرای منطق سه گانه و برنامه های کاربردی آن با استفاده از CNTFET
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 695,000 ریال
شناسه محصول: 2007100
خرید ترجمه فارسی و دانلود
A computational study on electrical characteristics of a novel band-to-band tunneling graphene nanoribbon FET
یک مطالعه مقایسه ای پیرامون مشخصه های الکتریکی یک FET نانو روبان گرافینی تونلی باند به باند
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 815,000 ریال
شناسه محصول: 2006313
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Novel carbon nanotube field effect transistor with graded double halo channel
ترانزیستور اثر میدان جدید از نوع نانولوله کربنی با کانال حلقه‌ای مدرج دوبل
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 1,160,000 ریال
شناسه محصول: 2006312
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Novel and general carbon nanotube FET-based circuit designs to implement all of the 39 ternary functions without mathematical operations
طراحی مدارات مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی نانو تیوب کربنی برای پیاده سازی کلیه توابع سه گانه 39 بدون عملیات های ریاضیاتی
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 765,000 ریال
شناسه محصول: 2004931
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Performance Projections for Ballistic Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors
برآورد عملکردِ ترانزیستور های اثر میدانی نانونوار گرافنی بالستیک
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 765,000 ریال
شناسه محصول: 2003788
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Implementation of Ternary Logic Gates using CNTFET
پیاده سازی گیت های منطق سه گانه با استفاده از CNTFET ها
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 520,000 ریال
شناسه محصول: 2004928
خرید ترجمه فارسی و دانلود
High-frequency and switching performance investigations of novel lightly doped drain and source hetero-material-gate CNTFET
مطالعات عملکرد کلیدزنی و فرکانس بالای CNTFET همراه با درین و سورس با ناخالصی اندک و مواد گیت ناهمگون
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 815,000 ریال
شناسه محصول: 2003782
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Differential Cascode Voltage Switch (DCVS) Strategies by CNTFET Technology for Standard Ternary Logic
استراتژیهای سویچ ولتاژ کاسکود تفاضلی (DCVS ) برای تکنولوژی CNTFET برای منطق سه گانه
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 815,000 ریال
شناسه محصول: 2004929
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Tunnel FET technology: A reliability perspective
تکنولوژی تونل FET: دیدگاهی از قابلیت اطمینان
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت : 1,235,000 ریال
شناسه محصول: 2003845
خرید ترجمه فارسی و دانلود
برای یافتن منابع بیشتر در زمینه ترانزیستور اثر میدانی و رشته مهندسی برق از بخش جستجوی پیشرفته استفاده نمایید. یا سایر کلمات کلیدی مهندسی برق را ببینید.
Skip Navigation Links
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
راهنما
راهنمای ارسال سفارش ترجمه
راهنمای ارسال سفارش ویرایش
تخمین زمان و هزینه ترجمه
ارسال درخواست پشتیبانی