ترجمه مقاله Tunnel FET technology: A reliability perspective را از پورتال آموزش و پژوهش دانشگاهیان دانلود کنید.

قیمت : 155,000 ریال شناسه محصول : 2003845 کلمه عبور همه فایلها : www.daneshgahi.com

عنوان فارسي : تکنولوژی تونل FET: دیدگاهی از قابلیت اطمینان

این برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر ، را ببینید. همچنین این در گرایش های: سخت ‌افزار، می تواند کاربرد داشته باشد. سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]

چکیده

ترانزیستور تونلینگ اثر میدانی (TFET) ، به عنوان یک جایگزین برای CMOS معمولی به وسیله ی فعال کردن منبع تغذیه ولتاژ (VDD)  با مصرف توانی فوق العاده کم، محاسبات کارآمد انرژی، در طی دامنه ی زیر- حد آستانه ی  (sub-threshold slope: SS)  زیر 60 mV/decade اش به وجود آمد. با توجه به ویژگی‌های منحصر به فرد دستگاهی مانند منبع / طراحی نامتقارنِِ تخلیه ناشی از انتقالِ یکطرفه، اثرِ بهبود یافته ی ظرفیت الکتریکی میلر بر حالت و سوئیچینگ سریع در ولتاژهای کم؛ طراحی مدار مبتنی برTFET  نیاز به تعاملات قوی بین سطح دستگاه و سطح مدار برای کشف مزایای کارایی، به همراه تغییرات خاصی از مدارهای CMOS معمولی برای رسیدن به قابلیت و بهره وری بهینه انرژی دارد. به این دلیل که TFET در محدوده ی ولتاژ کمی (VDD <0.5 V) برای اجرای بهتر CMOS عمل می کند، مسائل قابلیت اطمینان می تواند تاثیر عمیقی بر طراحی مدار از دیدگاه کاربرد عملی داشته باشد. در این مقاله ی مروری، ما پیشرفت های اخیر روی طراحی دستگاه FET تونل، و تکنیک های مدل سازی برای پیاده سازی مدار و تشخیص کارایی را ارائه می نماییم.  ما بر مسائل قابلیت اطمینانی مانند خطای نرم (soft-error)، نویزهای الکتریکی و ناپایداری (تغییر) فرایند، و تاثیراتشان بر عملکرد مدار مبتنی بر TFET در مقایسه با CMOS زیر حد آستانه تمرکز می نماییم.  مدل تحلیلیِ نویز الکتریکی و ناپایداری فرآیند نیز برای شبیه سازی سطح مدار مورد بحث قرار می گیرد.

1-مقدمه

تقویت ترانزیستور پیوسته و افزایش چگالی ترانزیستور به طور قابل ملاحظه ای شدت توان تراشه (چیپ) را افزایش داد. مصرف ولتاژ VDD منبع تغذیه منجر به کاهش درجه دوم مصرف برق پویا می شود، که برای محاسبات انرژی کارآمد در برنامه های کاربردی با توانی محدود بسیار مورد نیاز است [1]. برای رسیدن به چنین توانایی اجرایی (بر حالت فعلی، Ion)، باید در حالی که VDDیک ترانزیستور کاهش می یابد ولتاژ آستانه (Vth)   به صورت مناسبی تقویت شود، که این به دلیل افزایش نمایی جریان نشتی(Ioff)  و توان نشتی ایستا می باشد [2]....

ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور تونلینگ اثر میدانی :کلمات کلیدی
نویسنده/ناشر/نام مجله :
Microelectronics Reliability
سال انتشار:
2014
تعداد صفحات انگليسي :
14
تعداد صفحات فارسي :
23
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
حجم فایل انگلیسی :
6 Mb
حجم فایل فارسی :
9 مگا بایت
 مقاله مهندسی کامپیوتر و IT با ترجمه

عنوان انگليسي : Tunnel FET technology: A reliability perspective

چکیده انگلیسی مشاهده چکیده فارسی

Abstract

Tunneling-field-effect-transistor (TFET) has emerged as an alternative for conventional CMOS by enabling the supply voltage (VDDVDD) scaling in ultra-low power, energy efficient computing, due to its sub-60 mV/decade sub-threshold slope (SS). Given its unique device characteristics such as the asymmetrical source/drain design induced uni-directional conduction, enhanced on-state Miller capacitance effect and steep switching at low voltages, TFET based circuit design requires strong interactions between the device-level and the circuit-level to explore the performance benefits, with certain modifications of the conventional CMOS circuits to achieve the functionality and optimal energy efficiency. Because TFET operates at low supply voltage range View the MathML sourceVDD<0.5V) to outperform CMOS, reliability issues can have profound impact on the circuit design from the practical application perspective. In this review paper, we present recent development on Tunnel FET device design, and modeling technique for circuit implementation and performance benchmarking. We focus on the reliability issues such as soft-error, electrical noise and process variation, and their impact on TFET based circuit performance compared to sub-threshold CMOS. Analytical models of electrical noise and process variation are also discussed for circuit-level simulation

Keywords: Tunnel FET technology
ترجمه متون تخصصی
ترجمه انگلیسی به فارسی
ترجمه فارسی به انگلیسی
ارسال سفارش ترجمه جدید

ترجمه متون تخصصی کلیه رشته های دانشگاهی یکی دیگر از خدمات تخصصی پورتال پویان می باشد.
ویرایش مقالات انگلیسی
ویرایش مقاله ISI
ارسال سفارش ویرایش مقاله جدید

ویرایش مقاله انگلیسی و برطرف کردن اشکالات مربوط به زبان انگلیسی مقاله ازجمله اشتباهات گرامری یکی دیگر از خدمات پورتال پویان می باشد.
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید
آگهی و نیازمندی تخصصی
دعوت به همکاری
تماس با ما
ستارخان - خیابان دهقان - کوچه پارسائیان - پلاک 32 - واحد 7
البرز - نظرآباد - میدان شهدا - خیابان شهدای شمالی - کتاب فروشی پیام نور - روبروری کوچه شهید ترکیان
02144271488
02645366417
09124893953
09124390688
09212827886
info[at]daneshgahi.com