دانلود مقاله ترجمه شده T-CNTFET با همپوشانی گیت-درین و دو گیت فلزی مختلف: ساختاری جدید با افزایش جریان اشباع


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2007736 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
قیمت :
820,000 ریال
شناسه محصول :
2007736
سال انتشار:
2016
حجم فایل انگلیسی :
566 Kb
حجم فایل فارسی :
640 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

T-CNTFET با همپوشانی گیت-درین و دو گیت فلزی مختلف: ساختاری جدید با افزایش جریان اشباع

عنوان انگليسي

T-CNTFET with Gate-Drain Overlap and Two Different Gate Metals: A Novel Structure with Increased Saturation Current

نویسنده/ناشر/نام مجله

ECS Journal of Solid State Science and Technology

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 5 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 15 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

برای اولین بار در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدان تونل‌زنی بر اساس نانوله‌های کربنی نیمه‌رسانا با همپوشانی گیت و درین و گیت ماده دوگانه (OVDMG-T-CNTFET) ارائه، و با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی (NEGF) شبیه‌سازی می‌گردد. در این ساختار از دو فلز با توابع کار متفاوت استفاده می‌شود. فلز نزدیک به سورس، تابع کار بالاتری دارد. این فلز تونل‌زنی را در بخش سورس کانال کنترل کرده و جریان حالت ON را افزایش می‌دهد. ناخالصی بخش درین این ساختار به ناحیه کانال نفوذ کرده و یا به عبارت دیگر یک همپوشانی بین نواحی درین و گیت به وجود می‌آید. نشان داده می‌شود که با انتخاب درستی از طول همپوشانی، رفتار استاتیکی و دینامیکی این قطعه ارتقا می‌یابد. ترانزیستورهای تونل‌زنی رایج از جریان اشباع پایین رنج می‌برند. ساختار پیشنهاد شده به طور قابل‌ توجهی جریان ON را که در کاربردهای سنجشی اهمیت دارد، بالا می‌برد. علاوه براین، این ساختار نسبت جریان، سرعت سویچنگ، فرکانس بهره‌ی واحد FT، ترارسانایی (هدایت انتقالی)، نوسان زیرآستانه‌ای (SS)، اثر حامل داغ و کاهنده‌ی سد درین (DIBL) را در مقایسه با ساختارهای رایج دیگر ارتقا می‌دهد.

1-مقدمه

برای غلبه بر محدودیت‌های پیمایش MOSFETهای اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلزی، برخی از نیمه‌رساناها از جمله نانو لوله‌های کربنی (CNT) برای جایگزینی سیلیکون به عنوان ماده کانال پیشنهاد شده است. CNTها که توسط Ijima کشف شده‌ است، با توجه به خواص الکتریکی و مکانیکی بسیار عالی که دارند، به عنوان یک ماده مناسب برای آینده‌ی نانوالکترونیک شناخته شده‌اند. در ترازنیستورهای اثر میدانی CNT (CNTFET)، گیت با توجه به ضخامت نانو لوله‌ها کنترل خوبی روی کانال دارد…

 ترانزیستور اثر میدانی :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی

Abstract

For the first time, in this paper a tunneling field effect transistor based on semiconductor carbon nanotubes with gate and drain overlap and dual material gate (OVDMG-T-CNTFET) is proposed and simulated using non-equilibrium Green's function (NEGF). This structure uses two metals with different workfunctions. The metal close to source has higher workfunction. This metal controls tunneling at source side of channel and increases ON state current. Drain side impurity penetrates to the channel region or in other words there is an overlap between drain and gate region. It is demonstrated that with proper selection of overlap length, the device static and dynamic behavior is enhanced. The conventional tunneling transistors suffer from low saturation current. The proposed structure considerably enhances the ON current which is important in sensing applications. Furthermore, this structure enhances current ratio, switching speed, unity-current-gain frequency fT, transconductance, subthreshold swing (SS), hot carrier effect, and drain induced barrier lowering (DIBL) in comparison with conventional structure

 Keywords: T-CNTFET
این برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]
مقاله مهندسی برق با ترجمه

سایر منابع مهندسی برق-مهندسی برق الکترونیک در زمینه ترانزیستور اثر میدانی

Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > T-CNTFET با همپوشانی گیت-درین و دو گیت فلزی مختلف: ساختاری جدید با افزایش جریان اشباع
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
نمایش مقالات موضوع بندی شده
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید
دعوت به همکاری
تکمیل فرم همکاری جهت فروش فایل
وبلاگ ها
آموزش ترجمه و زبان ( 8 )
آموزش مقاله نویسی ( 21 )
نکات و آموزش دانشگاهی ( 1 )
عکس نوشته انگلیسی ( 104 )