دانلود مقاله ترجمه شده لایه‌های شفاف MgF2 به وجود آمده با سل-ژل: خواص ترکیبی و نوری

سیستم‌های دی الکتریک، غیرصیقلی (anti-reflective) و بسیار صیقلی متشکل از لایه‌هایی با ضریب شکست کم و زیاد می باشند. سیستم‌های رایج، اکسیدی می باشند. در اینجا آماده سازی لایه‌های MgF₂ با ضریب شکست پایین و کیفیت نوری خوب با استفاده از یک ترکیب سل-ژل بی آب دما پایین، ارائه شده است. سل MgF₂ با پوشش دهی چرخشی روی زیرلایه‌های سیلیسیمی و شیشه ای آماده سازی می شود. ضخامت‌های لایه مختلف بین 20 تا 435 نانومتر رسوب داده شد. نشان داده شده است که افزایش ضخامت متناسب با تعداد مراحل پوشش دهی می شود. لایه‌های MgF₂ رسوب داده شده متشکل از 10 تا 20 نانومتر، نانوذره‌های بزرگ بوده و سطوحی صاف با رافنس میانگین (R_a) حدود 0.3±1.7 نانومتر  دارند. ثوابت نوری n و k لایه‌ها مطابق داده‌های موجود برای MgF₂ حجیم می باشد.

سیستم‌های چند لایه دی الکتریک، غیرصیقلی یا بسیار صیقلی متشکل از لایه‌های دی الکتریک متناوب با ضریب شکست کم و زیاد می باشد. در حال حاضر، رایج ترین مواد، اکسیدهایی نظیر SiO₂ به عنوان مواد با ضریب شکست پایین (n₅₀₀ = 1.46) و TiO₂ (تا n₅₀₀ = 2.40) یا Ta₂O₂ (n₅₀₀ = 2.10) به عنوان مواد با ضریب شکست بالا می باشد. این سیستم‌های اکسیدی، بسته به الزامات اندازه و عملکرد دستگاه نوری، عمدتاً به روش رسوب فیزیکی بخار (PVD) نظیر تبخیر یا کاتد پرانی (sputtering)، تولید می شوند....